為什么在逆變焊機中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆變焊機！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT逆變焊機，實現(xiàn)更高的逆變焊機焊接質(zhì)量，更小的逆變焊機體積重量！更低的逆變焊機成本！
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類逆變焊機，比如氣體保護焊，如氬弧焊、二氧化碳氣體保護焊，手工弧焊等。
逆變焊機是指采用逆變技術(shù)的弧焊電源，它將交流電先整流成直流電，再通過大功率開關(guān)元件的交替開關(guān)作用（使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流），逆變成幾K赫茲甚至幾百K赫茲的高頻交流電，經(jīng)過變壓器降壓后輸出給電極和工件，形成高頻脈沖電弧的焊機。
逆變焊機相比直流焊機具有以下優(yōu)點：
1.體積小、重量輕、節(jié)約制造材料，便于攜帶和移動。
2.能效高、節(jié)能環(huán)保、降低用電成本。
3.動態(tài)特性好、控制靈活、可實現(xiàn)多種焊接模式和參數(shù)調(diào)節(jié)。
4.輸出電壓、電流的穩(wěn)定性好、抗干擾能力強、適應電網(wǎng)波動。
5.焊接效果好、飛濺小、熔深大、變形小、適用于各種金屬材料和位置的焊接。
基本公司SiC碳化硅MOSFET可有效的減少逆變焊機變壓器、濾波電感、電容以及散熱器，電抗等成本，有效降低逆變焊機體積和成本。基本公司SiC碳化硅MOSFET提高逆變焊機頻率從而提高弧焊電源的動態(tài)響應特性，促進焊接工藝的精細靈活，提升焊接質(zhì)量。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。
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